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BC213_J35Z數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

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廠商型號

BC213_J35Z

參數(shù)屬性

BC213_J35Z 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 0.5A TO92-3

功能描述

TRANS PNP 30V 0.5A TO-92
TRANS PNP 30V 0.5A TO92-3

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-19 23:01:00

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BC213_J35Z規(guī)格書詳情

簡介

BC213_J35Z屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由制造生產(chǎn)的BC213_J35Z晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :BC213_J35Z

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)

    :500mA

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    :30V

  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)

    :600mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值)

    :15nA(ICBO)

  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)

    :80 @ 2mA,5V

  • 功率 - 最大值

    :625mW

  • 頻率 - 躍遷

    :200MHz

  • 工作溫度

    :-

  • 安裝類型

    :通孔

  • 封裝/外殼

    :TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線)

  • 供應商器件封裝

    :TO-92-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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