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BAV199WT

DualSeriesSwitchingDiode

Features ?LowCurrentLeakage ?ForwardCurrent:IF=160mA. ?SmallOutlineSurfaceMountPackage ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?Marking:K52 ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?H

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BAV199WTQ

HighSpeedSwitchingDiode

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

揚州揚杰電子揚州揚杰電子科技股份有限公司

BCR199

PNPSiliconDigitalTransistor

PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR199F

PNPSiliconDigitalTransistor

PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR199T

PNPSiliconDigitalTransistor

PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=47k?)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BF199

NPNSILICONPLANAREPITAXIALRFTRANSISTOR

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

BF199

RFTransistor

RFTransistor NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BF199

NPNmediumfrequencytransistor

DESCRIPTION NPNmediumfrequencytransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES ?Lowcurrent(max.25mA) ?Lowvoltage(max.25V). APPLICATIONS ?OutputstageofavisionIFamplifier.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF199

NPNRFTransistor

NOTES: 1)Theseratingsarebasedonamaximumjunctiontemperatureof150degreesC. 2)Thesearesteadystatelimits.Thefactoryshouldbeconsultedonapplicationsinvolvingpulsedorlowdutycycleoperations

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BF199

NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR

RFTransistor

CDIL

Continental Device India Limited

技術(shù)參數(shù)

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)：

    Automotive

  • Configuration：

    Dual-Dual

  • Polarity：

    Anode

  • Power Rating (mW)：

    200 mW

  • N)：

    No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：

    85 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)：

    3000 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：

    160 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：

    4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：

    1.1

  • Maximum ReverseCurrent IR (μA)：

    0.005 μA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：

    75 V

  • V(BR)R (V) Min (μA)：

    85

  • TotalCapacitance CT (pF)：

    1.5 pF

  • VF(V) Max @ IF=1.0mA：

    0.715

  • VF(V) Max @ IF=10mA：

    0.855

  • IR(uA) Max @ VR=80V：

    5nA@75V

  • Packages：

    SOT363

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SMD
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DIODES原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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原裝現(xiàn)貨,專業(yè)配單專家
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更多BAV199DWQ供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 14:14:00

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