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BCR116W	文件：231.57 Kbytes Page：14 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR116W	文件：873.42 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=4.7k?,R2=47k?) ?BCR116S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage ?BCR116S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BD116	文件：252.44 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BTS116	文件：306.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BUL116	文件：218.43 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUMVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesignedforuse	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BUL116D	文件：218.43 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUMVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesignedforuse	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BULD116D	文件：213.57 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUMVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesignedforuse	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BULT116D	文件：209.04 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUMVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesignedforuse	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BYV116	文件：53.09 Kbytes Page：6 Pages	RectifierdiodesSchottkybarrier GENERALDESCRIPTION Dualschottkyrectifierdiodesintendedforuseasoutputrectifiersinlowvoltage,highfrequencyswitchedmodepowersupplies. TheBYV116seriesissuppliedintheSOT78(TO220AB)conventionalleadedpackage. TheBYV116BseriesissuppliedintheSOT404surfacemountingp	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BYV116B	文件：53.09 Kbytes Page：6 Pages	RectifierdiodesSchottkybarrier GENERALDESCRIPTION Dualschottkyrectifierdiodesintendedforuseasoutputrectifiersinlowvoltage,highfrequencyswitchedmodepowersupplies. TheBYV116seriesissuppliedintheSOT78(TO220AB)conventionalleadedpackage. TheBYV116BseriesissuppliedintheSOT404surfacemountingp	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BAV116T
制造商：
DIODES
制造商全稱：
Diodes Incorporated
功能描述：
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BAV116T-7	DIODES/美臺(tái)	20+	SMD	88800	DIODES原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
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