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BGA416	文件：88.94 Kbytes Page：8 Pages	RFCascodeAmplifier Description BGA416isamonolithicsiliconcascodeamplifierwithhighreverseisolation.Abiasnetworkisintegratedforsimplifiedbiasing. Feature ?GMA=23dBat900MHz ?Ultrahighreverseisolation,60dBat900MHz ?Lownoisefigure,F50?=1.2dBat900MHz ?Onchipbiascircuit	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BU416	文件：1.12725 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BUL416	文件：81.43 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMulti-EpitaxialMesatechnologyforcost-effectivehighperformance.ItusesaHollowEmitterstructuretoenhanceswitchingspeeds. TheBULseriesisdesignedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies. ■S	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BUL416	文件：263.22 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage:VCEO(SUS)=800V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2A ·VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BUL416B	文件：208.81 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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