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BAS116VY-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BAS116VY-Q
廠商型號(hào)

BAS116VY-Q

功能描述

Low-leakage triple switching diode

絲印標(biāo)識(shí)

2J

封裝外殼

TSSOP6

文件大小

203.46 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-16 22:59:00

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BAS116VY-Q規(guī)格書詳情

1. General description

Epitaxial, medium-speed switching, electrically isolated triple diode in an ultra small SOT363

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

? Low leakage current: max. 5 nA

? Switching time: typical 0.8 μs

? Continuous reverse voltage: maximum 75 V

? Repetitive peak reverse voltage: maximum 85 V

? Repetitive peak forward current: maximum 500 mA

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Low-leakage current applications in surface mounted circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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