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B3D20120H

Marking：B3D20120H；Package：TO-247-2；SiC Schottky Diode

Features Lowleakagecurrent(IR) Zeroreverserecoverycurrent Temperatureindependentswitchingbehavior PositivetemperaturecoefficientonVF Highsurgecurrentcapacity Lowcapacitivecharge Applications Switchmodepowersupplies(SMPS) Uninterruptiblepowersupplies Server/telec

BASICSEMISHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR

基本半導體深圳基本半導體有限公司

B3D20120H

1200V SiC Schottky Diode;

BASiCSHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR

基本半導體深圳基本半導體有限公司

LGE3D20120A

SiliconCarbideSchottkyDiode

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

LGE3D20120D

SiliconCarbideSchottkyDiode

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

LGE3D20120H

SiliconCarbideSchottkyDiode

GeneralDescription Thisproductfamilyoffersstateoftheart performance.Itisdesignedforhighfrequency applicationsherehigh efficiencyandhighreliabilityarerequired. Features ?ZeroForward/ReverseRecoveryCurrent ?HighBlockingVoltage ?HighFrequencyOperation ?Posit

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

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BASIC/基本半導體
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BASIC/基本半導體全系列在售,可訂貨
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專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)
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更多B3D20120H供應商 更新時間2025-7-27 11:01:00

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