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B3D06065KS

絲?。?strong>B3D06065KS;Package:TO-220-isolated;SiC Schottky Diode

Features Lowleakagecurrent(IR) Zeroreverserecoverycurrent Temperatureindependentswitchingbehavior PositivetemperaturecoefficientonVF Highsurgecurrentcapacity Lowcapacitivecharge Ceramicpackageprovides2.5kVisolation Applications Switchmodepowersupplies(SMPS) Un

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基本半導(dǎo)體深圳基本半導(dǎo)體有限公司

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3rdGeneration650V,6ASiliconCarbideSchottkyDiode

Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom

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