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B26	文件：417.02 Kbytes Page：5 Pages	型號(hào)：B260S1F-7；Package：SOD123F；2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ?ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ?ReducedHigh-temperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHigh TemperatureOperation. ?Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyF	DIODESDiodes Incorporated 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
B26	文件：299.31 Kbytes Page：7 Pages	型號(hào)：BF570；Package：SOT23；NPN medium frequency transistor FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.15V) ?Lowfeedbackcapacitance(max.2.2pF).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
B260A	文件：1.56556 Mbytes Page：2 Pages	型號(hào)：B260A；Package：DO-214AC；Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Forsurfacemountedapplications ◇Lowprofilepackage ◇Built-instrainrelief ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Highsurgecapability ◇Highcurrentcapability,lowforwardvolt	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY

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型號(hào)：B260S1F-7；Package：SOD123F；2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features ?ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ?ReducedHigh-temperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHigh TemperatureOperation. ?Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyF

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

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型號(hào)：BF570；Package：SOT23；NPN medium frequency transistor

FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.15V) ?Lowfeedbackcapacitance(max.2.2pF).

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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型號(hào)：B260A；Package：DO-214AC；Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Forsurfacemountedapplications ◇Lowprofilepackage ◇Built-instrainrelief ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Highsurgecapability ◇Highcurrentcapability,lowforwardvolt

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