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B1237

型號：2SB1237；Package：ATV；Medium Power Transistor

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

B1274

型號：2SB1274；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES WideASO(AdoptionofMBITProcess). LowSaturationVoltage. HighReliability. HighBreakdownVoltage.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

B1375

型號：2SB1375；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25℃) Lowvoltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A) CollectorMetal(Fin)isCoverdwithMoldRegin Complementaryto2SD2012

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

B1426

型號：2SB1426；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES GeneralPurposeSwitchingandAmplification

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

B1426

型號：2SB1426-TA；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES GeneralPurposeSwitchingandAmplification

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

B1644

型號：2SB1644J；Package：D2-PAK；PNP -4A -80V Power Transistor

Features 1)SuitableforPowerDriver 2)LowVCE(sat) VCE(sat)=?1.5V(Max.)(IC/IB=?3A/?300mA) 3)LeadFree/RoHSCompliant. Applications Automotivepowerdriver,LEDdriver Powersupply

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

B15L

型號：844201BKI-45LF；Package：VFQFN；FemtoClock? Crystal-to-LVDS Clock Generator

Features ?OnedifferentialLVDSoutputpair ?Crystaloscillatorinterfacedesignedfor18pF, 25MHzparallelresonantcrystal ?VCOrange:490MHz–680MHz ?RMSphasejitterat100MHz(12kHz–20MHz):0.792ps(typical) ?RMSphasejitterat125MHz(12kHz–20MHz):0.773ps(typical) ?Full

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

B15L

型號：844201BKI-45LFT；Package：VFQFN；FemtoClock? Crystal-to-LVDS Clock Generator

Features ?OnedifferentialLVDSoutputpair ?Crystaloscillatorinterfacedesignedfor18pF, 25MHzparallelresonantcrystal ?VCOrange:490MHz–680MHz ?RMSphasejitterat100MHz(12kHz–20MHz):0.792ps(typical) ?RMSphasejitterat125MHz(12kHz–20MHz):0.773ps(typical) ?Full

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

B10

型號：ACDBTS1100R-HF；Package：SOD-123F；SMD Schottky Barrier Diode

Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Lowreversecurrent. -AEC-Q101Qualified&PPAP.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

B1H

型號：AO3401；Package：SOT23-3L；P-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS(V)=-30V ID=-4.2A(VGS=-10V) RDS(ON)

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    B1

  • 制造商：

    Renesas Electronics

  • 功能描述：

    Nch 30V 100mA 8 SC75 Tape & Reel

  • 制造商：

    Renesas

  • 功能描述：

    Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多B1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 17:06:00

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