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D209L	文件：281.36 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ◆VeryHighSwitchingSpeed ◆HighVoltageCapability ◆WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
D209L	文件：70.99 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
D209L	文件：328.95 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEo=400V(Min) ·HighSwitchingSpeed ·HighReliability ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingregulators ·Ultrasonicgenerators ·Highfrequencyinverters ·	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
DAN209	文件：194.36 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialPlanarSiliconDiodeArrays Ultra-High-SpeedSwitching Features 1)Smallsize. 2)Highreliability 3)Highspeed(trr:1.5ns,Typ.). 4)Automaticassemblyfeasible. Applications Ultra-High-SpeedSwitching	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
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