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BF620	文件：1.19505 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowcurrent(max.50mA) ●Highvoltage(max.300V). ●Videooutputstages.	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
BF620	文件：125.6 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:500mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:50mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:300V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
BF620	文件：320.82 Kbytes Page：11 Pages	NPNhigh-voltagetransistors FEATURES ?Lowcurrent(max.50mA) ?Highvoltage(max.300V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BFP620	文件：209.97 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor ?HighlylinearlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?BasedonInfineonsreliablehighvolume SiliconGermaniumtechnology ?IdealforCDMAandWLANapplications ?Collectordesign	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP620	文件：350.51 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BFP620	文件：641.59 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP620	文件：665.57 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP620F	文件：158.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor* ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Smallpackage1.4x0.8x0.59mm ?OutstandingnoisefigureF=0.7dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.3dBat6GHz ?Maximumstablegain Gms=21dBat1.8GHz Gma=10dBat6GHz ?Goldmetal	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP620F	文件：154.82 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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