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AUIRF7343Q

Advanced Planar Technology Ultra Low On-Resistance

IRF

International Rectifier

AUIRF7343Q

AUTOMOTIVE GRADE

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRF7343Q

汽車Q101 60V 雙 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET,采用 SO-8 封裝; \n優(yōu)勢:\n? 先進平面工藝\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 175°C 的工作溫度\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 允許重復(fù)雪崩達到 Tjmax\n? 無鉛,符合 RoHS\n? 通過汽車認證\n?\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRF7343QTRPBF

N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?N-Channel:60V,6A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

AUIRF7343QTR

Advanced Planar Technology Ultra Low On-Resistance

IRF

International Rectifier

AUIRF7343QTR

AUTOMOTIVE GRADE

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN:

    AUIRF7343QTR

  • Qualification:

    Automotive

  • Package name:

    SO8

  • VDS max:

    55 V

  • RDS (on) @10V max:

    50 m?

  • ID @25°C max:

    3.4 A/4 A

  • QG typ @10V:

    24 nC

  • Polarity:

    N+P

  • VGS(th) min:

    1 V/-1 V

  • Technology:

    Gen 5

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更多AUIRF7343Q供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 14:01:00