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AUIRF2805STRR中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AUIRF2805STRR
廠商型號(hào)

AUIRF2805STRR

功能描述

Advanced Planar Technology

文件大小

281.87 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-6 17:04:00

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AUIRF2805STRR規(guī)格書詳情

描述 Description

Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET? Power MOSFETs

utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.

特性 Features

Advanced Planar Technology

Low On-Resistance

Dynamic dV/dT Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free, RoHS Compliant

Automotive Qualified *

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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