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CP645	文件：33.03 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistorPNP,8.0APowerTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessMULTIEPITAXIALMESA DieSize120x145MILS DieThickness13MILS BaseBondingPadArea20x45MILS EmitterBondingPadArea14x70MILS TopSideMetalizationAl-50,000? BackSideMetalizationCr/Ni/Ag-10,000?	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
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FDC645N	文件：80.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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IN645	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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