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BD645

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BD645

SiliconNPNPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD645

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647

COMSET

Comset Semiconductor

BD645

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BD645

NPNSiliconDarlingtonTransistors

Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BD645

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BD645

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

COMSET

Comset Semiconductor

BD645

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD645CS

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BD645CS

6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    ATMEGA645P-MUR

  • 功能描述：

    8位微控制器 -MCU AVR 64KB FLSH 2KB EE 4KB SRAM-16MHz, IND

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Silicon Labs

  • 核心：

    8051

  • 處理器系列：

    C8051F39x

  • 數(shù)據(jù)總線寬度：

    8 bit

  • 最大時鐘頻率：

    50 MHz

  • 程序存儲器大?。?/span>

    16 KB 數(shù)據(jù) RAM

  • 大?。?/span>

    1 KB 片上

  • ADC：

    Yes

  • 工作電源電壓：

    1.8 V to 3.6 V

  • 工作溫度范圍：

    - 40 C to + 105 C

  • 封裝/箱體：

    QFN-20

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICROCHIP(美國微芯)
24+
QFN-64(9x9)
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深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。
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Microchip微控制器MCU-可開原型號增稅票
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64-VFQFN 裸露焊盤
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QFN-64(9x9)
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64-VFQFN
11200
主營:汽車電子,停產(chǎn)物料,軍工IC
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MICROCHIP/微芯
23+
64-QFN9x9
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一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
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更多ATMEGA645P-MUR供應(yīng)商 更新時間2025-7-10 23:00:00

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