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FDB603AL

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit

FairchildFairchild Semiconductor

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N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多ATMEGA603L供應商 更新時間2025-7-9 17:02:00

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