AT-64020中文資料Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor數(shù)據(jù)手冊Broadcom規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
AT-64020 |
| 參數(shù)屬性 | AT-64020 封裝/外殼為4-SMD（200 密耳 BeO）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 20V 200SMD |
| 功能描述 | Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor |
| 封裝外殼 | 4-SMD（200 密耳 BeO） |
| 制造商 | Broadcom Broadcom Corporation. |
| 中文名稱 | 博通公司 博通半導(dǎo)體 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-14 16:30:00 |
| 人工找貨 | AT-64020價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
AT-64020規(guī)格書詳情
描述 Description
The AT-64020 is a high performance NPN silicon bipolar transistor housed in a hermetic BeO disk package for good thermal characteristics. This device is designed for use in medium power, wide band amplifer and oscillator applications operating over VHF, UHF and microwave frequencies.
Excellent device uniformity, performance and reliability are produced by the use of ion-implantation, self-alignment techniques, and gold metallization in the fabrication of these devices. The use of ion-implanted ballast resistors ensures uniform current distribution through the multiple emitter fngers.
特性 Features
? High Output Power:
?? 27.5 dBm Typical P1 dB at 2.0 GHz
?? 26.5 dBm Typical P1 dB at 4.0 GHz
? High Gain at 1 dB Compression:
?? 10.0 dB Typical G1 dB at 2.0 GHz
?? 6.5 dB Typical G1 dB at 4.0 GHz
? 35% Total Efciency
? Emitter Ballast Resistors
? Hermetic, Metal/Beryllia Package
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號(hào)：
AT-64020
- 制造商：
Broadcom Limited
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
20V
- 功率 - 最大值：
3W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 110mA，8V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
4-SMD（200 密耳 BeO）
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 200SMD
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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10 |
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