AT-42085分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
AT-42085 |
| 參數(shù)屬性 | AT-42085 封裝/外殼為4-SMD（85 塑料）；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC |
| 功能描述 | Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power |
| 封裝外殼 | 4-SMD（85 塑料） |
| 文件大小 |
53.63 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | HP |
| 中文名稱 | 安捷倫 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-3 15:47:00 |
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AT-42085規(guī)格書詳情
描述 Description
Hewlett-Packard’s AT-42085 is a general purpose NPN bipolar transistor that offers excellent high frequency performance. The AT-42085 is housed in a low cost .085 diameter plastic package. The 4 micron emitter-to-emitter pitch enables this transistor to be used in many different functions.
The 20 emitter finger interdigitated geometry yields a medium sized transistor with impedances that are easy to match for low noise and medium power applications. Applications include use in wireless systems as an LNA, gain stage, buffer, oscillator, and mixer. An optimum noise match near 50 ? up to 1 GHz, makes this device easy to use as a low noise amplifier.
The AT-42085 bipolar transistor is fabricated using Hewlett-Packard’s 10 GHz fT Self-Aligned-Transistor (SAT) process. The die is nitride passivated for surface protection. Excellent device uniformity, performance and reliability are produced by the use of ion implantation, self-alignment techniques, and gold metalization in the fabrication of this device.
特性 Features
? High Output Power:
20.5 dBm Typical P1 dB at 2.0? GHz
? High Gain at 1 dB Compression:
14.0 dB Typical G1 dBat 2.0? GHz
? Low Noise Figure:
2.0 dB Typical NFOat 2.0? GHz
? High Gain-Bandwidth
Product: 8.0 GHz Typical fT
? Low Cost Plastic Package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
AT-42085G
- 制造商：
Broadcom Limited
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
- 頻率 - 躍遷：
8GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
- 增益：
9.5dB ~ 13.5dB
- 功率 - 最大值：
500mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 35mA，8V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
80mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
4-SMD（85 塑料）
- 供應(yīng)商器件封裝：
85 塑料
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
安捷倫 |
25+ |
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