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首頁>ASDM68N80KQ-R>規(guī)格書詳情

ASDM68N80KQ-R數(shù)據(jù)手冊ASDsemi中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

ASDM68N80KQ-R

功能描述

場效應(yīng)管(MOSFET)

制造商

ASDsemi Shenzhen AsDsemi Semiconductor Co., Ltd.

中文名稱

安森德 深圳安森德半導(dǎo)體有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-8 19:10:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :ASDM68N80KQ-R

  • 生產(chǎn)廠家

    :ASDsemi

  • 漏源電壓(Vdss)

    :68V

  • 連續(xù)漏極電流(Id)

    :80A

  • 功率(Pd)

    :120W

  • 閾值電壓(Vgs(th)@Id)

    :4V@250uA

  • 柵極電荷(Qg@Vgs)

    :70nC@10V

  • 輸入電容(Ciss@Vds)

    :3.36nF@34V

  • 反向傳輸電容(Crss@Vds)

    :540pF@34V

  • 工作溫度

    :-55℃~+175℃@(Tj)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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