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首頁>ASDM40R009NQ-R>規(guī)格書詳情

ASDM40R009NQ-R數(shù)據(jù)手冊ASDsemi中文資料規(guī)格書

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廠商型號

ASDM40R009NQ-R

功能描述

場效應管(MOSFET)

制造商

ASDsemi Shenzhen AsDsemi Semiconductor Co., Ltd.

中文名稱

安森德 深圳安森德半導體有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 15:01:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :ASDM40R009NQ-R

  • 生產(chǎn)廠家

    :ASDsemi

  • 漏源電壓(Vdss)

    :40V

  • 連續(xù)漏極電流(Id)

    :200A

  • 功率(Pd)

    :114W

  • 閾值電壓(Vgs(th)@Id)

    :2V@250uA

  • 柵極電荷(Qg@Vgs)

    :45nC@10V

  • 輸入電容(Ciss@Vds)

    :5.4nF@20V

  • 反向傳輸電容(Crss@Vds)

    :81pF@20V

  • 工作溫度

    :-55℃~+150℃@(Tj)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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