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首頁>ASDM30N120KQ-R>規(guī)格書詳情

ASDM30N120KQ-R數(shù)據(jù)手冊ASDsemi中文資料規(guī)格書

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廠商型號

ASDM30N120KQ-R

功能描述

場效應管(MOSFET)

制造商

ASDsemi Shenzhen AsDsemi Semiconductor Co., Ltd.

中文名稱

安森德 深圳安森德半導體有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 15:01:00

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技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :ASDM30N120KQ-R

  • 生產(chǎn)廠家

    :ASDsemi

  • 漏源電壓(Vdss)

    :30V

  • 連續(xù)漏極電流(Id)

    :120A

  • 功率(Pd)

    :45W

  • 閾值電壓(Vgs(th)@Id)

    :1.5V@250uA

  • 柵極電荷(Qg@Vgs)

    :63nC@10V

  • 輸入電容(Ciss@Vds)

    :2.921nF@15V

  • 反向傳輸電容(Crss@Vds)

    :416pF@15V

  • 工作溫度

    :-55℃~+150℃@(Tj)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ASCEND
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詢價
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