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首頁(yè)>ASDM30DN30E-R>規(guī)格書(shū)詳情

ASDM30DN30E-R數(shù)據(jù)手冊(cè)ASDsemi中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

ASDM30DN30E-R

功能描述

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)

制造商

ASDsemi Shenzhen AsDsemi Semiconductor Co., Ltd.

中文名稱

安森德 深圳安森德半導(dǎo)體有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-14 15:01:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :ASDM30DN30E-R

  • 生產(chǎn)廠家

    :ASDsemi

  • 漏源電壓(Vdss)

    :30V

  • 連續(xù)漏極電流(Id)

    :30A

  • 功率(Pd)

    :26W

  • 閾值電壓(Vgs(th)@Id)

    :2.5V@250uA

  • 柵極電荷(Qg@Vgs)

    :9.82nC@4.5V

  • 輸入電容(Ciss@Vds)

    :896pF@15V

  • 反向傳輸電容(Crss@Vds)

    :108pF@15V

  • 工作溫度

    :-55℃~+150℃@(Tj)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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