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ASD65R550E中文資料SJ MOSFET數(shù)據(jù)手冊ANHI規(guī)格書

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廠商型號

ASD65R550E

功能描述

SJ MOSFET

制造商

ANHI ANHI Semiconductor

中文名稱

安海半導(dǎo)體 濟(jì)南安海半導(dǎo)體有限公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-8 20:00:00

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ASD65R550E規(guī)格書詳情

描述 Description

SJ MOSFT, 安海半導(dǎo)體推出新一代SJ MOSFET系列,采用先進(jìn)的多層外延技術(shù),優(yōu)化了元胞結(jié)構(gòu),具有電流能力強(qiáng),短路能力好,雪崩特性強(qiáng),體內(nèi)二極管反向恢復(fù)特性優(yōu),dv/dt能力優(yōu),EMI特性好,抗浪涌能力強(qiáng)的等特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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