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ASA65R120EFD數(shù)據(jù)手冊ANHI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

ASA65R120EFD

功能描述

SiC MOSFET

制造商

ANHI ANHI Semiconductor

中文名稱

安海半導(dǎo)體 濟南安海半導(dǎo)體有限公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-1 15:38:00

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ASA65R120EFD規(guī)格書詳情

描述 Description

SJ MOSFT, 安海半導(dǎo)體推出新一代SJ MOSFET系列,采用先進的多層外延技術(shù),優(yōu)化了元胞結(jié)構(gòu),具有電流能力強,短路能力好,雪崩特性強,體內(nèi)二極管反向恢復(fù)特性優(yōu),dv/dt能力優(yōu),EMI特性好,抗浪涌能力強的等特點和優(yōu)點。

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