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AS4LC4M16DG-6S/IT中文資料AUSTIN數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AS4LC4M16DG-6S/IT
廠商型號(hào)

AS4LC4M16DG-6S/IT

功能描述

4 MEG x 16 DRAM

文件大小

519.62 Kbytes

頁面數(shù)量

25

生產(chǎn)廠商

AUSTIN

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 20:00:00

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AS4LC4M16DG-6S/IT規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

The 4 Meg x 16 DRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory device containing 67,108,864 bits and designed to operate from 3V to 3.6V. The device is functionally organized as 4,194,304 locations containing 16 bits each. The 4,194,304 memory locations are arranged in 4,096 rows by 1,024 columns.

FEATURES

? Single +3.3V ±0.3V power supply.

? Industry-standard x16 pinout, timing, functions, and package.

? 12 row, 10 column addresses

? High-performance CMOS silicon-gate process

? All inputs, outputs and clocks are LVTTL-compatible

? Extended Data-Out (EDO) PAGE MODE access

? 4,096-cycle CAS-BEFORE-RAS (CBR) REFRESH distributed across 64ms

? Optional self refresh (S) for low-power data retention

? Level 1 Moisture Sensitivity Rating, JEDEC J-STD-020

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AS4LC4M16DG-6S/IT

  • 制造商:

    AUSTIN

  • 制造商全稱:

    Austin Semiconductor

  • 功能描述:

    4 MEG x 16 DRAM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
24+
NA/
6250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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2016+
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