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AS2312數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

AS2312

參數(shù)屬性

AS2312 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

功能描述

MOSFETs
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

制造商

Anbonsemi ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

中文名稱

安邦 安邦半導(dǎo)體(國際)有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-2 23:01:00

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AS2312規(guī)格書詳情

簡(jiǎn)介

AS2312屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的AS2312晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :AS2312

  • 生產(chǎn)廠家

    :Anbonsemi

  • VDSS(V)

    :20

  • ID(A)

    :5

  • VGS(th)Max(V)

    :1.2

  • PD(W)

    :1.25

  • RDS(on)Max(mΩ)_10V

    :-

  • RDS(on)Max(mΩ)_4.5V

    :25

  • RDS(on)Max(mΩ)_2.5V

    :35

  • RDS(on)Max(mΩ)_1.8V

    :50

  • IDSS(Max)(μA)

    :-

  • Ciss(Typ)(μA)

    :-

  • Package

    :SOT-23

  • AutomotiveGrade

    :N

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
AMS/艾邁斯
24+
NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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