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AQY410EH	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU (General Use)-E Type 1-Channel (Form B) 4-pin Type FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
AQY410EH	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	Normally closed DIP4-pin economic type with reinforced insulation Modem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AQY410EH	文件：300 bytes Page：1 Pages	PhotoMOS GE 1b (4腳型)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AQY410EH	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝：散裝類別：繼電器固態(tài)繼電器描述：SSR RELAY SPST-NC 130MA 0-350V	Panasonic Electric Works	Panasonic Electric Works
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AQY410EHA	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU (General Use)-E Type 1-Channel (Form B) 4-pin Type FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
AQY410EHA	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	Normally closed DIP4-pin economic type with reinforced insulation Modem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AQY410EHAX	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU (General Use)-E Type 1-Channel (Form B) 4-pin Type FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS
AQY410EHAX	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	Normally closed DIP4-pin economic type with reinforced insulation Modem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AQY410EHAZ	文件：49.7 Kbytes Page：3 Pages	GU (General Use)-E Type 1-Channel (Form B) 4-pin Type FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. Crosssectionofthenormally-closedtypeofpowerMOS 2.Reinforcedinsulation5,000Vty	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司	NAIS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
AQY410EH
制造商：
Panasonic Electric Works
類別：
繼電器 > 固態(tài)繼電器
系列：
PhotoMOS? AQY
包裝：
散裝
安裝類型：
通孔
電路：
SPST-NC（1 Form B）
輸出類型：
AC，DC
電壓 - 輸入：
1.14VDC
端接樣式：
PC 引腳
封裝/外殼：
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商器件封裝：
4-DIP
描述：
SSR RELAY SPST-NC 130MA 0-350V

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市金嘉銳電子有限公司	AQY410EH	PANASONIC	2025+	4-DIP	32560	原裝優(yōu)勢絕對有貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	AQY410EH	NAIS	24+	DIP-4	21		詢價(jià)
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深圳市艾宇欣科技有限公司	AQY410EH	Panasonic	2010+	N/A	778	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
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