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BAS521	文件：865.69 Kbytes Page：3 Pages	Schottkybarrierdiode Features Fastswitchingspeed Highconductance	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BAS521	文件：194.12 Kbytes Page：11 Pages	Singlehigh-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription Singlehigh-voltageswitchingdiode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedina SOD523(SC-79)ultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Highswitchingspeed:trr≤50ns ?Highreversevoltage:VR≤300V ?Repe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BAS521B	文件：199.64 Kbytes Page：11 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiode,inanultrasmallSOD523(SC-72)flatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Highswitchingspeed:trr≤50ns ?Lowleakagecurrent:IR≤100nA ?Highreversevoltage:VR≤200V ?Lowcapacitanc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BAS521-HF	文件：526.94 Kbytes Page：4 Pages	SMDSwitchingDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS521LP	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體	DIODES
BAS521LP	文件：90.12 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features ?FastSwitchingSpeed:Maximumof50ns ?HighReverseBreakdownVoltage:325V ?LowLeakageCurrent:Maximumof50nAwhenVR=5Vor Maximumof150nAwhenVR=250VatRoomTemperature ?UltraSmallPlasticSMDPackage:1.0mmx0.6mmx0.5mm ?TotallyLead-Free&FullyRoHS	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體	DIODES
BAS521Q	文件：309.69 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features ?FastSwitchingSpeed:max.50ns ?HighReverseBreakdownVoltage:300V ?LowLeakageCurrent:100nAatroomtemperature ?UltraSmallPlasticSMDPackage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualifiedto	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體	DIODES
BAS521-Q	文件：199.7 Kbytes Page：9 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiode,encapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)flatleadSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Highswitchingspeed:trr≤50ns ?Highreversevoltage:VR≤300V ?Repetitivepeakforwardcurrent:IFR	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BAS521V	文件：359.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BAS521WT	文件：235.33 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSwitchingDiode HighVoltageSwitchingDiode Applications ?highspeedswitching ?highvoltageswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	APTAPL1001J	APT	23+	MODULE	5000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
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