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首頁(yè)>APT75GP120B2>規(guī)格書(shū)詳情

APT75GP120B2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

APT75GP120B2
廠商型號(hào)

APT75GP120B2

參數(shù)屬性

APT75GP120B2 封裝/外殼為T(mén)O-247-3 變式;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

功能描述

POWER MOS 7 IGBT

封裝外殼

TO-247-3 變式

文件大小

97.35 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ADPOW

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 20:00:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT75GP120B2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    POWER MOS 7?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,75A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1620μJ(開(kāi)),2500μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    20ns/163ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,75A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 描述:

    IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原裝正品,歡迎來(lái)電咨詢(xún)!
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