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APT54GA60BD30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT54GA60BD30
廠商型號(hào)

APT54GA60BD30

參數(shù)屬性

APT54GA60BD30 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 96A 416W TO247

功能描述

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

2.83333 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

44 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

MICROSEMI

中文名稱

美高森美

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-16 20:00:00

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APT54GA60BD30規(guī)格書詳情

POWER MOS 7? MOSFET

Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.

? Lower Input Capacitance

? Increased Power Dissipation

? Lower Miller Capacitance

? Easier To Drive

? Lower Gate Charge, Qg

? TO-247 or Surface Mount D3PAK Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT54GA60BD30

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,32A

  • 開關(guān)能量:

    534μJ(開),466μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    17ns/112ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,32A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 600V 96A 416W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
APT
25+
TO-3P
591
原裝正品,歡迎來(lái)電咨詢!
詢價(jià)
APT
24+
TO-247-3()
8866
詢價(jià)
Microsemi Corporation
22+
TO247 [B]
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
Microch
20+
NA
33560
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
詢價(jià)
MICROSEMI
638
原裝正品
詢價(jià)
Microsemi Corporation
2022+
TO-247 [B]
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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TO-247B
8400
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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