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APT50GS60BRDQ2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT50GS60BRDQ2G
廠商型號

APT50GS60BRDQ2G

參數(shù)屬性

APT50GS60BRDQ2G 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 93A 415W TO247

功能描述

Thunderbolt High Speed NPT IGBT with Anti-Parallel DQ Diode

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

613.91 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

MICROSEMI

中文名稱

美高森美

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-15 16:26:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APT50GS60BRDQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Thunderbolt IGBT?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.15V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    755μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    16ns/225ns

  • 測試條件:

    400V,40A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 600V 93A 415W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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