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首頁(yè)>APT50GN60BDQ2G>規(guī)格書(shū)詳情

APT50GN60BDQ2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

APT50GN60BDQ2G
廠商型號(hào)

APT50GN60BDQ2G

參數(shù)屬性

APT50GN60BDQ2G 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 107A 366W TO247

功能描述

Resonant Mode Combi IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

162.86 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

MICROSEMI

中文名稱

美高森美

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-8 15:39:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT50GN60BDQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,50A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1185μJ(開(kāi)),1565μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    20ns/230ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,4.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 600V 107A 366W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MROSEMI/美高森美
24+
NA/
3320
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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MICROSEMI/美高森美
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原廠原封可拆樣
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TO-247 [B]
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