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APT15GP60BDQ1G數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

廠商型號(hào) |
APT15GP60BDQ1G |
參數(shù)屬性 | APT15GP60BDQ1G 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 |
功能描述 | IGBT w/ anti-parallel diode |
封裝外殼 | TO-247-3 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名稱 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-24 20:00:00 |
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APT15GP60BDQ1G規(guī)格書詳情
描述 Description
ROHS
簡介
APT15GP60BDQ1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的APT15GP60BDQ1G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
APT15GP60BDQ1G
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
POWER MOS 7?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,15A
- 開關(guān)能量:
130μJ(開),120μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
8ns/29ns
- 測試條件:
400V,15A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247 [B]
- 描述:
IGBT 600V 56A 250W TO247
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
25+ |
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