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APT15GN120BDQ1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
APT15GN120BDQ1G |
| 參數(shù)屬性 | APT15GN120BDQ1G 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 45A 195W TO247 |
| 功能描述 | High Speed PT IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
170.21 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | MICROSEMI |
| 中文名稱 | 美高森美 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-13 10:19:00 |
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APT15GN120BDQ1G規(guī)格書詳情
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature coeffi cient. Low gate charge simplifi es gate drive design and minimizes losses.
? 1200V Field Stop
? Trench Gate: Low VCE(on)
? Easy Paralleling
Applications: Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APT15GN120BDQ1G
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，15A
- 開關(guān)能量：
410μJ（開），950μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
10ns/150ns
- 測試條件：
800V，15A，4.3 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 1200V 45A 195W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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