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APT150GN60B2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT150GN60B2G
廠商型號(hào)

APT150GN60B2G

參數(shù)屬性

APT150GN60B2G 封裝/外殼為TO-247-3 變式;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 220A 536W SOT227

功能描述

Thunderbolt IGBT

封裝外殼

TO-247-3 變式

文件大小

178.2 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MICROSEMI美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
MICROSEMI
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 20:19:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT150GN60B2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,150A

  • 開關(guān)能量:

    8.81mJ(開),4.295mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    44ns/430ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,150A,1 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 描述:

    IGBT 600V 220A 536W SOT227

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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