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APT11GF120KRG分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
APT11GF120KRG |
| 參數(shù)屬性 | APT11GF120KRG 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 1200V 25A 156W TO220 |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
2.83336 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
44 頁 |
| 生產廠商 | MICROSEMI |
| 中文名稱 | 美高森美 |
| 網址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-9 20:00:00 |
| 人工找貨 | APT11GF120KRG價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
APT11GF120KRG規(guī)格書詳情
APT11GF120KRG屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由美高森美公司制造生產的APT11GF120KRG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號：
APT11GF120KRG
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，8A
- 開關能量：
300μJ（開），285μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
7ns/100ns
- 測試條件：
800V，8A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220 [K]
- 描述：
IGBT 1200V 25A 156W TO220
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
25+ |
TO-220 |
86 |
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Microch |
20+ |
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