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APT10M07JVFR中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
APT10M07JVFR |
| 功能描述 | High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET |
| 文件大小 |
121.22 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ADPOW |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-11 14:23:00 |
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APT10M07JVFR規(guī)格書(shū)詳情
Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
? Fast Recovery Body Diode
? Lower Leakage
? Faster Switching
? 100 Avalanche Tested
? Popular SOT-227 Package
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
APT10M07JVFR
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 225A SOT-227
- RoHS：
是
- 類別：
半導(dǎo)體模塊 >> FET
- 系列：
POWER MOS V®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
10
- 系列：
*
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
23+ |
模塊 |
130 |
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詢價(jià) | ||
原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
專營(yíng)模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-220 |
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Microch |
20+ |
NA |
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詢價(jià) | ||
APT |
22+ |
原廠原封 |
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原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!! |
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APT |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
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APT/晶科電子 |
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MODULE |
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APT |
23+ |
模塊 |
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詢價(jià) |
