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APT10050B2VFR

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?IdenticalSpecific

ADPOW

Advanced Power Technology

APT10050B2VFR

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT10050B2VFR

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

ADPOW

Advanced Power Technology

APT10050B2VFR

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.;

APTAPT Electronics Co.,Ltd.

晶科廣東晶科電子股份有限公司

APT10050B2VFR_04

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

ADPOW

Advanced Power Technology

APT10050B2VFRG

FREDFETs;

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    APT10050B2VFR

  • 制造商：

    ADPOW

  • 制造商全稱：

    Advanced Power Technology

  • 功能描述：

    Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多APT10050B2VFR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 10:50:00

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