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BD512	文件：313.21 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD512	文件：53.39 Kbytes Page：2 Pages	EnhancementModeP-ChannelPowerVMOSTransistor Features: Highinputimpedance Highspeedswitching Nominoritycarrierstoragetime CMOSlogiccompatibleinput Nothermalrunaway Nosecondarybreakdown Parallelingissimple Heatsinkconnectedtodrain	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BD-A512RD	文件：202.86 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1

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