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AP9T18GEJ中文資料富鼎先進(jìn)電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AP9T18GEJ
廠商型號(hào)

AP9T18GEJ

功能描述

G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive

文件大小

132.52 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

A-POWER

中文名稱

富鼎先進(jìn)電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-12 11:40:00

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AP9T18GEJ規(guī)格書詳情

描述 Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness.

▼ G-S Diode embedded

▼ Capable of 2.5V gate drive

▼ Surface mount package

▼ RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AP9T18GEJ

  • 制造商:

    A-POWER

  • 制造商全稱:

    Advanced Power Electronics Corp.

  • 功能描述:

    G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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