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IRF9620SPBF	文件：1.0558 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?SurfaceM	IRF International Rectifier	IRF
IRF9620SPbF	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD2PAK(T	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9620SPBF	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9620STRLPbF	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD2PAK(T	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRFI9620G	文件：1.67603 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI9620G	文件：169.38 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=-3.0A) HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9620G	文件：772.09 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?P-channel ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI9620GPBF	文件：1.67603 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
MAX9620	文件：1.87335 Mbytes Page：12 Pages	Single/DualSC70,Zero-Drift,High-Efficiency,1.5MHzOpAmpswithRRIO	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim

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詳細參數(shù)

型號：
AP9620AGM-HF
制造商：
A-POWER
制造商全稱：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
Capable of 2.5V Gate Drive, Lower On-resistance

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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