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AP6679GJ

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP6679GJ)is availableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriv

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

AP6679GJ

Power MOSFETs;

APECapec

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

AP6679GJ-HF

Lower On-resistance, Simple Drive Requirement

Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP6679GJ)isavailableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriveReq

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

AP6679GJ-HF

Fast Switching Characteristic

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

AP6679GJ-HF_14

Simple Drive Requirement

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    P

  • VDS (V):

    -30

  • VGS (±V):

    20

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    9

  • Ciss (pF):

    2870/4590

  • Qg (nC):

    42/67

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多AP6679GJ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 16:00:00