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H04N60E	文件：60.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
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IGU04N60T	文件：464.28 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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