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AOTF11C60P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOTF11C60P

HighCurrentCapability

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOTF11C60PL

HighCurrentCapability

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Status：

    Full Production

  • Package：

    TO262F

  • Configuration：

    Single - N

  • Vds/V：

    600

  • Vgs/V：

    30

  • Id(A)(25℃)：

    11

  • Id(A)(75℃)：

    9

  • Pd(W)(25℃)：

    28

  • Rds (on) mΩ max(10V)：

    400

  • Qg (nC)：

    30

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO2623
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更多AOWF11C60供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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