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L6926D

HIGHEFFICIENCYMONOLITHICSYNCHRONOUSSTEPDOWNREGULATOR

DESCRIPTION Thedeviceisdc-dcmonolithicregulatorspecificallydesignedtoprovideextremelyhighefficiency. L6926Dsupplyvoltagecanbeaslowas2VallowingitsuseinsingleLi-ioncellsuppliedapplications.Outputvoltagecanbeselectedbyanexternaldividerdownto0.6V.DutyCycle

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

MCM6926A

128Kx9BitFastStaticRandomAccessMemory

TheMCM6926Aisa1,048,576bitstaticrandomaccessmemoryorganizedas131,072wordsof8bits.Staticdesigneliminatestheneedforexternalclocksortimingstrobes. Outputenable(G)isaspecialcontrolfeaturethatprovidesincreasedsystemflexibilityandeliminatesbuscontentionproble

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MSM6926

300bpsSingleChipFSKMODEM

OKIOki Electric Cable Co.,Ltd

沖電線沖電線株式會社

SI6926ADQ

DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團

SI6926ADQ

DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI6926ADQ

DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-free

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI6926ADQ

DualN-Channel2.5-VG-SMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI6926DQ

DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildsSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features ?5.5A,20V.RDS(ON)=0.02

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

STM6926

DualN-Channel40-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

STM6926

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    AON6926

  • 功能描述：

    MOSF 2N-CH 30V 44A/50A DFN5X6B

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AON6926供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 14:20:00

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