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LMH6514

LMH6514600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6514

LMH6514600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6514

600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LMH6514

LMH6514600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier

1FEATURES 2?AdjustableGainwitha42dBRange ?Precise6.02dBGainSteps ?Parallel3BitGainControl ?OnChipRegisterGainSetting ?FullyDifferentialSignalPath ?SingleEndedtoDifferentialCapable ?200ΩInputImpedance ?SmallFootprint(4mmx4mm)WQFNPackage APPLICAT

TI2Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6514SQ

600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LMH6514SQ/NOPB

LMH6514600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6514SQ/NOPB

LMH6514600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier

1FEATURES 2?AdjustableGainwitha42dBRange ?Precise6.02dBGainSteps ?Parallel3BitGainControl ?OnChipRegisterGainSetting ?FullyDifferentialSignalPath ?SingleEndedtoDifferentialCapable ?200ΩInputImpedance ?SmallFootprint(4mmx4mm)WQFNPackage APPLICAT

TI2Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6514SQ/NOPB.A

LMH6514600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier

1FEATURES 2?AdjustableGainwitha42dBRange ?Precise6.02dBGainSteps ?Parallel3BitGainControl ?OnChipRegisterGainSetting ?FullyDifferentialSignalPath ?SingleEndedtoDifferentialCapable ?200ΩInputImpedance ?SmallFootprint(4mmx4mm)WQFNPackage APPLICAT

TI2Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6514SQE/NOPB

LMH6514600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6514SQE/NOPB

LMH6514600MHz,DigitalControlled,VariableGainAmplifier

1FEATURES 2?AdjustableGainwitha42dBRange ?Precise6.02dBGainSteps ?Parallel3BitGainControl ?OnChipRegisterGainSetting ?FullyDifferentialSignalPath ?SingleEndedtoDifferentialCapable ?200ΩInputImpedance ?SmallFootprint(4mmx4mm)WQFNPackage APPLICAT

TI2Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    AON6514

  • 功能描述:

    MOSFET N CH 30V 30A DFN5X6

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AON6514供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 17:01:00