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AON5810中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AON5810
廠商型號(hào)

AON5810

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

404.81 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-6 16:02:00

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AON5810規(guī)格書詳情

General Description

The AON5810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AON5810 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AON5810L is a Green Product ordering option. AON5810 and AON5810L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = 20V

ID = 7.7 A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 18 m? (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 19 m? (VGS = 4.0V)

RDS(ON) < 21 m? (VGS = 3.1V)

RDS(ON) < 25 m? (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 40 m? (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2000V HBM

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AON5810

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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