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AOM033V120X2Q中文資料萬國半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOM033V120X2Q
廠商型號

AOM033V120X2Q

功能描述

1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET

絲印標識

M033V120X2Q

封裝外殼

TO-247-4L

文件大小

778.62 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產廠商

AOSMD

中文名稱

萬國半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 14:26:00

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特性 Features

? Proprietary αSiC MOSFET technology

? Low loss, with low RDS, ON

? Fast switching with low RG and low capacitance

? Optimized gate drive voltage (VGS = 15 V)

? Low reverse recovery diode (Qrr)

? AEC-Q101 Automotive Qualified

Applications

? xEV Charger

? Electric Vehicle Supply Equipment (EVSE)

? Motor Drives

? Automotive Inverters

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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