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AOTF20S60

600V20AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT20S60&AOB20S60&AOTF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AOTF20S60L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOTF20S60L

600V20AaMOS

GeneralDescription TheAOT20S60&AOB20S60&AOTF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AOV20S60

DFN8X8PACKAGEMARKINGDESCRIPTION

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AOW20S60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.199Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-L

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOW20S60

600V20AaMOSTMPowerTransistor

GeneralDescription TheAOW20S60&AOWF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AOWF20S60

600V20AaMOSTMPowerTransistor

GeneralDescription TheAOW20S60&AOWF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

CF20S60CT

20AHighPowerSchottkyBarrierRectifier

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

CP20S60SG

20ASurfaceMountTrenchSchottkyRectifier

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

CS20S60CT-A

SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    TO247-3L

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

  • VDS (V)：

    600

  • VGS (±V)：

    30

  • ID @ 25°C (A)：

    20

  • PD @ 25°C (W)：

    266

  • 10V：

    199

  • Qg (4.5V)(nC)：

    19.80

  • VGS(th) max (V)：

    4.10

  • Ciss (pF)：

    1038

  • Coss (pF)：

    68

  • Crss (pF)：

    2.10

  • Qgd (nC)：

    7.60

  • Trr (ns)：

    380

  • Qrr (nC)：

    5.70

  • Qualification：

    Industrial

  • ESD Diode：

    No

  • Tj max (°C)：

    150

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多AOK20S60L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 9:31:00

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