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AOK20120XSD中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

AOK20120XSD
廠商型號(hào)

AOK20120XSD

功能描述

1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

文件大小

884.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

AOSMD

中文名稱

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-31 23:01:00

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AOK20120XSD規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology

? Negligible reverse recovery current

? Maximum operating junction temperature of 175°C

? Improved switching losses vs. Si bipolar diodes

? Positive temperature coefficient for ease of paralleling

Applications

Renewable Industrial

? EV Charger ? UPS

? Solar Inverters ? SMPS

? Motor Drives

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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